Verhalten von UV-grünen Emissionen und Bandlückenmodifikation in ZnO

Diese Forschung basiert auf experimentellen Daten und beschreibt Halbleitermaterialien mit Schwerpunkt auf ZnO-Verbundwerkstoffen. Die damit verbundenen strukturellen und optischen Eigenschaften der Verbundwerkstoffe werden im Hinblick auf das Forschungsziel untersucht. Das Verhalten der beobachteten Emissionen (UV-, Grün- und Orange-Emissionen) und die Modifikation der Bandlücke werden realisiert und dargestellt. Unsere Bemühungen konzentrierten sich darauf, die Feinabstimmbarkeit der Energiebandlücke, die durchschnittliche Kristallitgröße, die Versetzungsdichte und günstige Lumineszenzmechanismen in ZnO-Verbundwerkstoffen genauer zu untersuchen und aufzuklären. Darüber hinaus wurde der Einfluss der Versetzungsdichte auf die damit verbundene Lumineszenz näher erläutert. Diese Studie könnte für Forscher/Studenten in ihrer Forschung und Lehre hilfreich sein, um einen Einblick in die Modifizierung und Manipulation der strukturellen und optischen Eigenschaften, einschließlich Bandlücken-Engineering und Lumineszenz in ZnO, durch Einbau von Dotierstoffen für praktischere und industrielle Anwendungen in der Kosmetik, Biomedizin und Optoelektronik zu erhalten.

Autorentext

Taj Khan obteve o mestrado em ciências (física) pela Universidade de Peshawar, Paquistão, e o mestrado pelo Instituto Paquistanês de Engenharia e Ciências Aplicadas (PIEAS), Islamabad, Paquistão. Trabalha como cientista sénior no Instituto Nacional de Lasers e Óptica (NILOP), P.O. Nilore, 45650, Islamabad, Paquistão. Está a fazer doutoramento na Faculdade de Física do Trinity College Dublin (TCD), Irlanda.