Verständnis des Wachstums von epitaktischen InAs/GaAs-Nanodrähten

Materialien in kleineren Skalen weisen vielversprechende Eigenschaften auf, die für eine Vielzahl von Anwendungen nützlich sind. Halbleiter-Quantentöpfe und Quantenpunkte sind zwei Hauptbeispiele für niedrigdimensionale Systeme, wobei die Quantentöpfe als zweidimensionale Systeme und die Quantenpunkte als nulldimensionale Systeme agieren. Alternativ dazu agieren Halbleiter-Nanodrähte als eindimensionale Materialien, die vielversprechende und geräteanwendbare Eigenschaften aufweisen. Es wird erwartet, dass diese Halbleiter-Nanodrähte die Bausteine für zukünftige nanoelektronische und nano-optoelektronische Bauelementetechnologie sein werden. Die Kompositionsmodulation innerhalb eines einzelnen Nanodrahtes (Heterostruktur) ermöglicht das Design der Bandstruktur eines Nanodrahtes und erlaubt damit die Herstellung von einzelnen Nanodraht-Bauelementen. Diese Nanodraht-Heterostrukturen zeigen viele potenzielle Eigenschaften und daraus resultierende Anwendungen. Allerdings sind die grundlegenden Wachstumsmechanismen von Nanodraht-Heterostrukturen aufgrund der komplexen Natur des Wachstums noch nicht ausreichend erforscht worden. In dieser Hinsicht, dieses Buch befasst sich mit den grundlegenden Fragen im Zusammenhang mit dem Wachstum von epitaktischen axialen und radialen Nanodraht-Heterostrukturen.

Autorentext

El Dr. Mohan chand Paladugu se doctoró en Ingeniería de Materiales por la Universidad de Queensland, Brisbane, Australia, y obtuvo un máster en Tecnología (M.Tech) por el Instituto Indio de Tecnología de Madrás (IITM), India. Además, cuenta con varios años de experiencia laboral esencial en las industrias metalúrgica y de procesamiento de materiales.