Voyage vers les nanofils

L'industrie microélectronique a évolué vers un régime à l'échelle nanométrique qui a permis d'obtenir une faible puissance et une vitesse de commutation élevée dans les circuits électroniques. Selon l'International Technology Roadmap for Semiconductors ITRS-2020, la technologie actuelle a atteint une taille de caractéristique inférieure à 10 nm et se rapproche de 5,6 nm. Afin de maintenir la réduction d'échelle, il est non seulement essentiel de développer de nouvelles architectures de dispositifs, mais il peut également être nécessaire de remplacer le silicium. Intel a mis au point des dispositifs à base de transistors à trois grilles d'une longueur de 14 nm. Les FET à plusieurs grilles et les structures de transistor à nanofils conviennent aux noeuds technologiques inférieurs à 14 nm. Cependant, on étudie la possibilité de développer des nanofils verticaux avec des matériaux composés III-V, des matériaux d'oxyde de grille à haute et des grilles métalliques plus performantes.

Autorentext

Subha Subramaniam ha realizado una contribución única en los amplios desarrollos técnicos del campo de la nanoelectrónica. En más de 20 años de docencia, ha sido profesora asociada y ha impartido varias asignaturas en el campo de la electrónica. Actualmente está afiliada al Shah and Anchor Kutchhi Engineering College, Mumbai, INDIA.

Klappentext

L'industrie microélectronique a évolué vers un régime à l'échelle nanométrique qui a permis d'obtenir une faible puissance et une vitesse de commutation élevée dans les circuits électroniques. Selon l'International Technology Roadmap for Semiconductors ITRS-2020, la technologie actuelle a atteint une taille de caractéristique inférieure à 10 nm et se rapproche de 5,6 nm. Afin de maintenir la réduction d'échelle, il est non seulement essentiel de développer de nouvelles architectures de dispositifs, mais il peut également être nécessaire de remplacer le silicium. Intel a mis au point des dispositifs à base de transistors à trois grilles d'une longueur de 14 nm. Les FET à plusieurs grilles et les structures de transistor à nanofils conviennent aux nuds technologiques inférieurs à 14 nm. Cependant, on étudie la possibilité de développer des nanofils verticaux avec des matériaux composés III-V, des matériaux d'oxyde de grille à haute et des grilles métalliques plus performantes.