Zeitabhängige Leerlaufspannung und Dotierdichte von CIGSe-Solarzellen

Elektrische Solarzellen-Parameter wie die Leerlaufspannung ändern sich in Cu(In,Ga)Se2-Solarzellen unter Beleuchtung kontinuierlich. Mit Hilfe von kapazitiven Messmethoden wird dieses Phänomen auf Änderungen in der Dotierdichte der Cu(In,Ga)Se2-Schicht zurückgeführt. Diese Erkenntnisse ermöglichen es, den limitierenden Verlustmechanismus in der Solarzelle zu identifizieren, wobei im Wesentlichen zwischen Volumen- und Grenzflächenverlusten differenziert wird. Um den zugrundeliegenden mikroskopischen Mechanismus bei kontinuierlicher Beleuchtung zu verstehen, werden die experimentelle Befunde mit aus der Literatur bekannten theoretischen Ansätzen wie dem Lany-Zunger-Modell oder dem Kupfer-Migrationsmodell verglichen.

Autorentext

Akademische Ausbildung:Promotion 2012-2015 (Martin-Luther-Universität Halle-Wittenberg);Studium Bachelor & Master Physik 2007-2012 (Martin-Luther-Universität Halle-Wittenberg);Abitur 1999-2006 (Christian-Wolff-Gymnasium, Halle (Saale))